رشد و مشخصه نگاری لایه های gaas نوع n با ناخالصی si به روش رونشستی پرتو مولکولی

رشد لایه های رونشستی gaas برای اولین بار در ایران با رونشستی پرتو مولکولی mbe انجام شد. این لایه ها عموما" با نرخ یک میکرون در ساعت و با ناخالصی سیلیسیم بر زیرلایه های gaas(001) رشد داده شده است . کیفیت بلوری لایه ها همزمان با انجام رشد توسط سیستم پراش بازتابی الکترون پر انرژی (rheed) تحت مراقبت قرار می گرفت . توسط توزیع نگار خازن - ولتاژ الکتروشیمیایی (ecvp) توزیع چگالی ناخالصی در عمق و نیز ضخامت لایه ها کنترل شد و با آزمایش اثر هال در دمای اتاق و دمای جوش نیتروژن مایع، قابلیت تحرک و میزان ناخالصی لایه ها و ضریب جبران سازی حاملها بدست آمد که با مقادیر گزارش شده قابل مقایسه بود. با تغییر دادن چگالی ناخالصی، رفتار سیلیسیم در gaas مشاهده و شرایط رشد تکرارپذیر و مناسب تدوین شد. وابستگی میزان شرکت ناخالصی(سیلیسیم) به فشار آرسنیک نیز مورد مطالعه قرار گرفت . با ثابت نگاه داشتن شار سیلیسیم و افزایش شار آرسنیک نسبت به شار گالیم، چگالی حاملهای الکتریکی افزایش یافت . همچنین اثر افزودن ایندیوم به صورت یک ناخالصی بر قابلیت تحرک و مقاومت مخصوص لایه ها بررسی شد. با افزودن ایندیوم از مرتبه 100ppm قابلیت تحرک حاملهای بار همزمان با چگالی آنها افزایش یافت که نشان دهنده کاهش نواقص بلوری و کاهش جبران سازی حاملها بود. به این ترتیب ، شرایط مناسب برای رشد خوب و تکرارپذیر لایه های رونشستی gaas نوع n روی زیرلایه های gaas(001) به دست آمد.